收藏本站
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
2000
4.0
I D = -4.0 A
1000
C iss
3.5
3.0
2.5
V DD = -5 V
V DD = -10 V
C oss
2.0
1.5
V DD = -15 V
100
C rss
1.0
0.5
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0.0
0
3
6
9
12
10
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure7. Gate Charge Characteristics
50
10
100 μ s
1000
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -4.5 V
1 ms
100
1
10 ms
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 156 o C/W
1s
10 s
DC
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
10
0.01
0.1
T A = 25 o C
1
10
60
1
0.5
-4 -3
-2
-1
1
10
100
1000
2
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.01
NOTES:
t 1
t 2
R θ JA = 156 C/W
SINGLE PULSE
o
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC642P Rev . C2
4
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDC645N MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
FDC6506P MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
FDC653N MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
FDC654P MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
FDC655BN MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
FDC6561AN MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
FDC658AP MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6
FDC658P MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
相关代理商/技术参数
FDC642P_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -20V, -4A, 100m??
FDC642P_F085 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC6432SH 功能描述:MOSFET 12V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC645 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET
FDC645N 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC645N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6
FDC645N_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET
FDC645N_F095 功能描述:MOSFET 30V 5.5A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube